HBM

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HBM是一种基于3D堆叠工艺的dram内存芯片，由多层dram堆叠

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2026-08-21 13:19 来自财联社刘蕊

破解“芯”荒困局？SK海力士据传拟赴日建存储厂投资达数百亿美元

①SK海力士正筹划在日本宫城县建设大型存储芯片厂，初步讨论投资规模为数十万亿韩元；
②若投资项目落地，这将是韩企首次在日本大规模布局半导体生产基地；
③该计划目前尚未官方宣布，仍面临美方施压赴美建厂、韩国国内相关疑虑等阻碍。

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2026-08-19 16:30

【大摩警告：内存涨价情况仍然激进 Q3成熟制程DRAM可能涨价50%】财联社8月19日电，根据摩根士丹利的最新预测，2026年第三季度，DDR4等成熟DRAM的价格将上涨50%，第四季度将再涨10%。摩根士丹利表示，成熟的DRAM和NAND芯片的供应紧张局面，即将进一步恶化。而造成这一局面的主要原因在于供应端的产能转移，存储器制造商正持续将产能转向HBM、DDR5和更高层数的NAND闪存。大摩还强调，SLC NAND闪存的价格涨幅可能将更加激进，该机构预计该品类在今年剩余的两个季度中每个季度都将上涨50%。

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2026-08-14 13:21

【SK海力士董事长：AI智能体的使用量五年内可能增长77倍】财联社8月14日电，SK海力士董事长崔泰源在公司韩国总部接受了媒体专访。他表示，产能扩张可能需要四到五年时间，并将各家公司对存储芯片的争夺形容为"如同一场战争"。如果没有足够的内存，客户“就无法生产AI计算设备和AI芯片”。他还表示，随着AI服务器需求持续爆发，HBM高带宽存储供不应求，不少科技巨头甚至提前赶到韩国抢签长期协议。崔泰源还警告称，明年可能会出现有史以来最严重的内存短缺。崔泰源将当前的AI比作一个四岁的孩子，随着行业逐步成熟，内存需求将大幅增长，并预测AI智能体的使用量五年内可能增长77倍。

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2026-08-12 14:56

【半导体设备厂商泛林集团拟在新加坡增聘200人涵盖高带宽内存、硅光子等领域】财联社8月12日电，美国半导体设备供应商泛林集团8月12日发布声明称，计划今年在新加坡增聘约200人，其中近9成为专业工程和技术岗位，以加强下一代半导体技术研发能力。新增岗位将涵盖高带宽内存（HBM）、2.5D和3D集成、硅光子、共同封装光学、面板级封装，以及设备和服务智能技术等领域。

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2026-08-12 12:42

【Omdia：AI需求激增 2026年半导体wg体育官方网站入口优惠活动增幅上调至94.1%】财联社8月12日电，Omdia发文称，由于AI需求持续超过全球供应能力，推动DRAM和NANDwg体育官方网站入口优惠活动实现强劲增长，Omdia将2026年全球半导体wg体育官方网站入口优惠活动营收增长预测上调至同比增长94.1%。预计2026年存储器芯片（MemoryIC）收入将占全球半导体总营收的50%以上。与此同时，AI需求已超出当前半导体产业的芯片制造和封装能力，高带宽内存（HBM）、先进封装以及先进制程产能等关键环节的瓶颈预计至少将持续至2027年。

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2026-08-11 11:23

【高盛顶级专家解读内存多空争论：涨价持续至2027年中涨势却在放缓】财联社8月11日电，高盛顶级科技专家Sean Johnstone在一份报告中指出， wg体育官方网站入口优惠活动正在争论内存价格的上涨空间。多头一派认为，HBM和DRAM订单已排期到2027年，长期协议设定了价格底线，这代表着内存仍有70%至80%的利润空间。空头则分析称，内存价格的“二阶导数”已经转负，意味着内存上涨的速度放缓，可能在明年第二季度或者第三季度达到峰值，并在晚些时候转向小幅下跌。此外，内存行业高达80%的利润率正在促使客户重新设计其芯片，这可能影响内存的供需平衡。

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2026-08-11 10:43

【三星电子相对于SK海力士的市盈率溢价或将扩大】财联社8月11日电，三星电子相对于SK海力士的市盈率溢价当前接近两年来最低水平，不过随着该公司从其竞争对手手中重新夺回HBMwg体育官方网站入口优惠活动份额，这一市盈率溢价有望扩大。瑞银模型预计，三星HBM出货量所占wg体育官方网站入口优惠活动份额将从2025年的20%升至今年的31%，并在2027年进一步升至40%，届时将首次超过SK海力士。瑞银将三星列为该行业的首选股票。

阅285.27W

2026-08-10 17:37

【摩根大通：全球存储芯片短缺或持续至2028年 HBM明年平均售价增幅或超四成】财联社8月10日电，摩根大通在最新研报中指出，AI需求推动存储芯片价格和出货量同步增长，该行将2026年至2028年全球存储wg体育官方网站入口优惠活动规模预测上调4%至8%，预计wg体育官方网站入口优惠活动规模将由2026年的约9690亿美元增至2027年的1.44万亿美元、2028年的1.82万亿美元。供需短缺未来两年仍将持续，2027年可能进一步恶化，2028年仅小幅缓解；明年客户需求与供应之比仍只有70%至80%。HBM是此次预测调整重点。由于8层产品周期延长、12层爬坡放缓及16层导入推迟，摩根大通下调部分HBM容量假设，但将2027年HBM平均售价增幅预测上调至42%。

阅297.77W

2026-08-10 13:24

【报道称三星电子HBM4近期良率已达到80%】财联社8月10日电，据当地媒体8月9日报道，三星电子HBM4近期良率已达到80%。半导体行业中，80%良率也被称作“黄金良率”，是一道关键拐点。达到该良率意味着缺陷率可控、产出稳定，具备盈利基础。一位业内人士表示：“三星电子最初设定的年终良率目标即为80%，但下半年量产规模提升后，工艺改善进度超出预期。”业内指出，三星电子该产品2月刚启动量产时良率不足60%，而后仅用六个月实现良率企稳，HBMwg体育官方网站入口优惠活动竞争由此从技术研发比拼转向产能争夺。业内判断，SK海力士HBM4良率同样已经迈入80%区间。瑞银在近期报告中预测：若按HBM比特出货量统计，2026年SK海力士将以48%份额维持首位；2027年三星将以41%份额微弱反超SK海力士的39%。

阅282.73W

2026-08-05 03:54

【三星公布全新3D内存路线图：zHBM的新系统垂直堆叠于AI加速器之上晶圆键合技术有望实现超过传统HBM5内存10倍的存储密度】财联社8月5日电，三星电子在美国加州圣克拉拉举行的未来存储与内存大会（FMS）上推出其V10 Bonding V-NAND，即BV-NAND原型产品。三星还展示了其称业界首款zHBM和zNAND-O架构概念模型，该技术通过垂直堆叠存储单元，在更小空间内存储更多数据，其性能约为下一代HBM5的八倍。不同于传统HBM与AI处理器并列封装的方式，三星的zHBM会将存储垂直堆叠于AI加速器之上，以缩短数据传输距离，提高带宽，同时提升能源效率。三星表示，其晶圆键合技术有望实现超过传统HBM5内存10倍的存储密度，同时将能源效率提高3倍，并将热阻降低一半以上。

阅280.45W

2026-08-04 19:27

【CoWoS封装产能告急台积电进一步扩大外包产能】财联社8月4日电，英伟达的GPU订单已经把台积电的封装产线挤到极限，台积电不得不决定将AI芯片制造核心工席CoWos中的CoW(晶圆上芯片)封装产能进一步外包给日月光等封测厂商。CoWoS是台积电用于AI芯片的2.5D封装技术，AI处理器位于芯片中心，HBM(高带宽内存)环绕四周，通过中介层连接。

阅261.38W

2026-08-04 14:38

【机构：2027年DRAM供给持续紧张英伟达评估下调Rubin Ultra HBM配置】《科创板日报》4日讯，根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，由于DRAM供不应求格局将延续至2027年，而且原厂HBM4e的验证进度存在变量，自2026年第三季起，英伟达对Rubin Ultra的HBM配置已从HBM4e 12hi，改为并行评估HBM4e 8hi、HBM4 12hi、HBM4 8hi等设计，目前尚未定案。除了英伟达外，部分云端服务供应商（CSP）也正考虑调降下一代自研ASIC的HBM容量设计。

阅278.71W

2026-08-03 10:05

【分析师：英伟达Rubin Ultra的HBM规格尚未确定】《科创板日报》3日讯，分析师Qinbafrank发文称，wg体育官方网站入口优惠活动关于英伟达Rubin HBM减配的传闻，并非指已经开始交付并逐步放量的标准版Vera Rubin NVL72，而是计划于2027年下半年推出的升级版Rubin Ultra配置规格尚未最终确定，多家机构预计，相较于英伟达此前在GTC展示的激进配置，其最终量产版本的规格存在下调的可能。

阅284.34W

2026-07-30 14:48

【集邦咨询：2027年存储器wg体育官方网站入口优惠活动走势分化 DRAM供给持续紧缺 NAND Flash转趋宽松】财联社7月30日电，根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，2027年存储器需求仍由AI应用主导，DRAM因HBM持续排挤产能、AI Server需求强劲，CPU所用的存储器与HBM采购动能持续增加，wg体育官方网站入口优惠活动维持供给紧张格局，价格走势偏强。NAND Flash在新产能集中释放、终端消费需求持续走弱的情况下，2027年下半年供给将趋向宽松，价格可能面临修正压力。

阅270.12W

2026-07-30 08:28

【三星电子：预计2026年下半年以服务器为中心的需求将保持强劲】财联社7月30日电，三星电子预计2026年下半年，随着人工智能基础设施资本支出的持续投入以及代理式人工智能的广泛应用，以服务器为中心的需求将保持强劲。与此同时，服务器DRAM、企业级固态硬盘（eSSD）和高带宽内存（HBM）的需求增长预计将加速。该公司表示，尽管移动设备和PCwg体育官方网站入口优惠活动的需求将有所放缓，但整体wg体育官方网站入口优惠活动预计仍将保持供不应求的状态。

阅283.24W

2026-07-29 08:43

财联社7月29日电，SK海力士称，计划于2027年实现HBM4E产品量产。

阅263.87W

2026-07-27 18:15

【三星电子确认HBM5将采用2纳米GAA工艺速度较HBM4E提升50%以上】财联社7月27日电，三星电子27日发布对公司半导体事业部技术开发室长具子铉的采访。具子铉表示，预计下一代HBM5内存的运行速度将比HBM4E快50%以上，“HBM5基础芯片将采用GAA结构的2纳米工艺，并实现更高集成度的硅通孔（TSV）”。具子铉称，三星电子将基于在4纳米HBM4基础芯片上获得的经验和技术竞争力，提前在HBM5中引入2纳米工艺，并拓展与移动、HBM、AI、HPC、汽车电子、机器人等领域的客户合作，引领半导体生态系统进一步发展壮大。

阅265.29W

2026-07-27 13:51

【存储模组厂商宇瞻科技：DRAM、企业级SSD供需失衡至少持续到明年上半年】财联社7月27日电，据报道，台湾存储模组厂商宇瞻科技执行长近日表示，随全球三大DRAM原厂新增产能几乎全面投入AI产品，一般wg体育官方网站入口优惠活动供货持续减少，供需失衡短期仍难缓解。他直言，全球三大DRAM原厂新增产能几乎全面投入HBM、伺服器DDR5及LPDDR5X等AI产品，分配给一般DDR5、DDR4及工控wg体育官方网站入口优惠活动的颗粒持续减少，模组厂目前面临最大的挑战已不是价格，而是供货不足。他表示，依原厂供货规划，未来可分配给模组厂的DRAM供应量仍将持续下降，不仅价格持续走高，各家模组厂也积极建立库存，避免未来面临无货可卖风险。他说，即使采购成本垫高，仍必须提前备货，因为买得贵还可以做生意，买不到货就没有生意可做。张家𫘥表示，目前较能确定的是，2027年上半年以前供应吃紧趋势仍相当明确；至于2027年下半年后，仍须观察各家原厂扩产及AI需求变化。

阅298.84W

2026-07-27 08:01 来自财联社

三星、SK与美企签下9500亿美元大单存储行业估值有望向成长股演进

①三星电子、SK集团与美企签下9500亿美元半导体大单。韩国总统政策办公室主任金容范表示，这是 “长期采购合同”而非意向性文件。
②国联民生证券认为，存储原厂估值体系有望由传统周期股框架，逐步向成长制造业框架演进，行业估值中枢存在系统性提升空间。

阅97.79W

2026-07-25 13:13

【三星电子宣布与博通公司签署谅解备忘录涵盖至2030年价值高达2000亿美元的存储芯片、代工服务和先进封装业务】财联社7月25日电，三星电子称，与博通公司签署谅解备忘录，涵盖至2030年价值高达2000亿美元的存储芯片、代工服务和先进封装业务；将与博通公司合作，基于三星的HBM技术开发博通公司的下一代人工智能加速器。三星电子还表示，提供亚2纳米代工工艺和先进封装解决方案。

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